存储芯片涨价周期开启,国产设备订单排到明年二季度
二季度以来,DRAM与NAND合约价连续两个季度上涨,涨幅分别为18%和12%。涨价周期启动,产业链的订单能见度随之拉长。
涨价的供需基础
供给端,三大原厂把产能向HBM与高端DDR5倾斜,标准型DRAM的有效供给被压缩;需求端,AI服务器单机存储容量是通用服务器的三倍以上,拉货强度超出年初预期。
库存周期从主动去库转入被动补库,渠道库存天数降到四周以下,是近三年的低位。低库存叠加紧供给,价格的弹性被放大。
国产替代的进度
前道设备中,刻蚀、薄膜沉积的国产化率已超过30%,量测与离子注入仍在10%以下。部分设备厂商的在手订单覆盖到明年二季度,产能利用率维持高位。
材料环节的突破更慢,光刻胶、电子特气的验证周期普遍在18个月以上,短期难以放量。国产化率的提升是斜率问题,不是开关问题。
风险提示
存储是强周期行业,涨价周期平均持续6到8个季度。价格一旦见顶,估值与业绩会同时回落,追高的风险不小。
扩产带来的资本开支会在周期下行时变成折旧压力,这是2027年需要警惕的变量。产能扩张的决策,往往在价格最高时做出,在价格最低时买单。
核心要点
- DRAM与NAND合约价连涨两季,涨幅18%与12%
- AI服务器拉动,渠道库存降至四周
- 刻蚀与沉积国产化率超30%,量测仍低